EUVL露光装置

EUVL露光システム

半導体露光装置はそれまで紫外線を用いていましたが、さらなる微細化の要求に答えるためにEUVL（極端紫外線波長：10から14nm）を利用してパターンをレジスト膜に焼き付ける方法が考案され、その研究のために弊社は本装置を製作しました。
そして、その研究成果として0.04μm線幅の露光パターンを得ることに成功しました。この技術によって、半導体メモリにおいては集積能力を従来の1000倍に向上させることが可能になりました。

EUVL装置断面図