EUVL Exposure System
![](https://www.mitakakohki.co.jp/company/images/industrial-euvl-2000_04_main01.jpg)
EUVL露光システム 英語
半導体露光装置はそれまで紫外線を用いていましたが、さらなる微細化の要求に答えるためにEUVL(極端紫外線 波長:10から14nm)を利用してパターンをレジスト膜に焼き付ける方法が考案され、その研究のために弊社は本装置を製作しました。
そして、その研究成果として0.04μm線幅の露光パターンを得ることに成功しました。この技術によって、半導体メモリにおいては集積能力を従来の1000倍に向上させることが可能になりました。
![](https://www.mitakakohki.co.jp/company/images/industrial-euvl-2000_04_sub01.jpg)
![](https://www.mitakakohki.co.jp/company/images/industrial-euvl-2000_04_sub02.jpg)
EUVL装置断面図 英語